Allied Market Research 发表了一份报告，题为“按类型划分的3D NAND 闪存市场 (单级单元、多级单元和单元)、应用(相机、笔记本电脑和 PC、智能手机和平板电脑等)和最终用户(汽车、消费电子、企业、医疗保健和其他)：2021-2030 年全球机会分析和行业预测”。报告显示，2020 年全球 3D NAND 闪存产业产值123.8 亿美元，预计到2030 年将产值 784.2 亿美元，2021 年至 2030 年的复合年增长率为 20.3%。
增长的主要决定因素
半导体晶圆空间限制的激增、3D NAND闪存的高性能和低延迟以及对数据中心需求的增加推动了全球3D NAND闪存市场的增长。然而，制造时所需的精度和高制造成本阻碍了市场的增长。另一方面，物联网渗透率的上升为未来几年带来了新的机遇。
分类型来看，三层单元细分市场在 2020 年占据最高市场份额，占全球 3D NAND 闪存市场的一半以上，预计在整个预测期内将保持领先地位。此外，预计从 2021 年到 2030 年，同一细分市场的复合年增长率最高，为 21.1%。与 SLC 和 MLC 闪存相比，三层单元 (TLC) 闪存的每 GB 价格更低，因此它提供了显着的增长机会为市场。
消费电子 部门在预测期内保持领先地位
从终端用户来看，2020 年消费电子领域占比最大，占全球 3D NAND 闪存市场近一半，预计在预测期内将保持领先地位。倾向于使用电子设备的电动和混合动力汽车推动了 2D 和 3D NAND 闪存市场。这反过来又推动了图像传感器在消费电子领域的增长。然而，从 2021 年到 2030 年，医疗保健领域预计将呈现 21.2% 的最大复合年增长率。
亚太地区，其次是北美，到2030年保持主导地位
从地区来看，2020 年亚太地区的营收占比最高，其次是北美，占全球 3D NAND 闪存市场近一半的份额，主要得益于数据中心主要参与者的投资激增。然而，由于对人工智能和物联网技术的认识提高，以开发智能基础设施解决方案，LAMEA 地区预计将在预测期内实现 21.2% 的最快复合年增长率。
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