导读 大家好,小金来为大家解答以上的问题。半导体核嬗变掺杂，关于半导体核嬗变掺杂简介这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！1、 半
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1、 半导体核嬗变掺杂是用一定能量的中子、带电粒子或γ射线等照射材料，通过选择的核反应在基体中生成原来不存在的新元素，达到半导体材料的掺杂目的。
2、只有中子嬗变掺杂(NDT)得到了实际应用。
3、此方法的原理是K.拉克－霍罗维茨于1951年提出的。
4、1974年成功地用核反应堆热中子对区熔硅进行核嬗变掺杂，首次生产了商品的中子嬗变掺杂硅。
5、中子掺杂硅单晶已成为工业产品，产量逐年增加。
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