​iPhone 16 或将改用密度更高、速度更慢的四层单元(QLC)闪存

颜卿灵
导读 苹果和其他的智能手机生产厂商一样,已经开始逐步增加了产品的储存容量。但是这样做的后果就是会大大增加硬件成本,目前苹果正在考虑使用一种更便宜的存储器
苹果和其他的智能手机生产厂商一样,已经开始逐步增加了产品的储存容量。但是这样做的后果就是会大大增加硬件成本,目前苹果正在考虑使用一种更便宜的存储器,有博主称,苹果公司可能会改变其高容量的iPhone16机型,所使用的闪存类型考虑使用密度更高,但是速度可能更慢的四层单元NAND。据业内人士透露,苹果可能会改变存储容量,不再使用三层单元的闪存,而是在存储容量达到或者超过1TB的机型上使用四层单元的NAND闪存。
三层单元的优势就在于每一个储存单元可以储存四位数据,而不是三位。苹果的这一项变更或者使用更少的单元储存更多的数据,在理论上可以降低生产成本。如果苹果公司继续执行这一计划的话,那么将意味着拥有1TB储存容量的iPhone16用户可能会遇到数据写入速度要低于低容量用户的情况。这样又会降低对性能有比较高要求的用户所需要的一些性能。目前在市场上销售的固态硬盘高速缓存已经满了的情况下,三层单元闪存的写入速度可以达到550MB每秒,而同类型的四层单元版本写入的速度可能只有450MB每秒或者500MB每秒。

标签: ​iPhone 16 ,改用密度

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