导读 全球最大的存储芯片制造商三星宣布已开始量产1太比特(1Tb)电池第八代V-NAND芯片。这些芯片具有业界最高的位密度和存储容量。它们设计用于高
全球最大的存储芯片制造商三星宣布已开始量产1太比特(1Tb)电池第八代V-NAND芯片。这些芯片具有业界最高的位密度和存储容量。它们设计用于高端企业服务器。
这家韩国公司通过提高每个半导体晶圆的位生产率，实现了业界最高的位密度。该公司使用新的Toggle DDR 5.0接口，输入和输出速度高达2.4Gbps，比上一代芯片提高了1.2倍。它使用3D缩放到表面积和高度，同时避免了细胞间的干扰。
这些 V-NAND芯片可以适应 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 标准。三星的新型存储芯片将用于下一代企业服务器和汽车行业。在汽车领域，可靠性至关重要，三星计划在未来将其第 8 代 V-NAND 芯片引入车辆。
三星的新型V-NAND芯片预计将在未来几个月内首次用于高端企业服务器。
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