导读 据韩联社报道，三星预计将于下周宣布开始量产3nm芯片。这意味着该公司将领先台积电，台积电预计将在今年下半年开始生产3nm芯片。与三星的5n
据韩联社报道，三星预计将于下周宣布开始量产3nm芯片。这意味着该公司将领先台积电，台积电预计将在今年下半年开始生产3nm芯片。
与三星的5nm工艺(用于骁龙888和Exynos2100)相比，三星的3nm节点将带来35%的面积减少、30%的性能提升或50%的功耗降低。
这将通过切换到晶体管的全方位栅极(GAA)设计来实现。这是FinFET之后的下一步，因为它允许代工厂缩小晶体管，而不会损害其承载电流的能力。3nm节点中使用的GAAFET设计是下图所示的MBCFET风格。
美国总统乔拜登上个月参观了三星在平泽的工厂，参加了三星3nm技术的演示。去年有传言称，该公司可能会投资100亿美元在德克萨斯州建立一家3nm代工厂。该投资已增至170亿美元，该工厂预计将于2024年开始运营。
无论如何，新节点最大的担忧是产量。去年10月，三星表示其3nm工艺的良率“正在接近与4nm工艺相似的水平”。虽然该公司从未公布官方数据，但分析师认为三星的4nm节点受到良率问题的困扰。
预计2023年将推出第二代3nm节点，该公司的路线图还包括2025年基于MBCFET的2nm节点。
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